CI20T120P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CI20T120P  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CI20T120P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CI20T120P даташит

 ..1. Size:423K  1
 ci20t120p.pdf pdf_icon

CI20T120P

CI20T120P 20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance. 0.543(13.8) 0.197(5.00) 0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60) 0.065(1.65) 0.386(9.8) 0.057(1.45) 0.370(9.4) 0.219(5.55) 0.130(3.3) 0.203(5.15

 ..2. Size:422K  citcorp
 ci20t120p.pdf pdf_icon

CI20T120P

CI20T120P 20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance. 0.543(13.8) 0.197(5.00) 0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60) 0.065(1.65) 0.386(9.8) 0.057(1.45) 0.370(9.4) 0.219(5.55) 0.130(3.3) 0.203(5.15

Другие IGBT... FGA25S125P, JT015N065FED, 2M410A, 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, IKW30N60H3, IHW15N120E1, RJH3044, XNF15N60T, YGW60N65F1A1, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD