CI20T120P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CI20T120P
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 50
Емкость коллектора (Cc), pf: 100
Тип корпуса: TO-3P
CI20T120P Datasheet (PDF)
..1. ci20t120p.pdf Size:423K _1
CI20T120P20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance.0.543(13.8)0.197(5.00)0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60)0.065(1.65)0.386(9.8)0.057(1.45)0.370(9.4)0.219(5.55)0.130(3.3)0.203(5.15
..2. ci20t120p.pdf Size:422K _citcorp
CI20T120P20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance.0.543(13.8)0.197(5.00)0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60)0.065(1.65)0.386(9.8)0.057(1.45)0.370(9.4)0.219(5.55)0.130(3.3)0.203(5.15
Другие IGBT... FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , IGW75N60T , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: MBQ40T65QES | FGPF70N33BT | CRG60T60AN3H | KDG40R12KT3 | KDG25R12KE3 | HMG60N60T | HMG60N60A | HMG40N65T | HMG40N60T | HMG40N60A | HMG20N65F