Справочник IGBT. CI20T120P

 

CI20T120P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CI20T120P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для CI20T120P

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CI20T120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  1
 ci20t120p.pdf pdf_icon

CI20T120P

CI20T120P20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance.0.543(13.8)0.197(5.00)0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60)0.065(1.65)0.386(9.8)0.057(1.45)0.370(9.4)0.219(5.55)0.130(3.3)0.203(5.15

 ..2. Size:422K  citcorp
 ci20t120p.pdf pdf_icon

CI20T120P

CI20T120P20A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance.0.543(13.8)0.197(5.00)0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI20T120PG. 0.181(4.60)0.065(1.65)0.386(9.8)0.057(1.45)0.370(9.4)0.219(5.55)0.130(3.3)0.203(5.15

Другие IGBT... FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , STGW60V60DF , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD .

History: IRG4PC50UPBF | SKM100GAL12T4

 

 
Back to Top

 


 
.