XNF15N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNF15N60T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 38
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.2
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 36
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 37
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 25
Paquete / Cubierta: TO-220F
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XNF15N60T Datasheet (PDF)
xnf15n60t.pdf

Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ
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