XNF15N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNF15N60T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 38
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.2
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 36
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 37
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 25
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de XNF15N60T - IGBT
XNF15N60T Datasheet (PDF)
xnf15n60t.pdf
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Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ
Otros transistores... 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , IHW20N120R2 , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD , NCE15TD60BD , NCE15TD60B , NCE15TD60BF .
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