XNF15N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XNF15N60T  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 38 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 37 pF

Encapsulados: TO-220F

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XNF15N60T datasheet

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XNF15N60T

Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature TJ

Otros transistores... 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, CI20T120P, IHW15N120E1, RJH3044, IKW40T120, YGW60N65F1A1, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD, NCE15TD60BD, NCE15TD60B, NCE15TD60BF