XNF15N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XNF15N60T

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 38

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.2

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 36

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 37

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 25

Paquete / Cubierta: TO-220F

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XNF15N60T Datasheet (PDF)

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Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ

Otros transistores... 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , IRG7SC28U , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD , NCE15TD60BD , NCE15TD60B , NCE15TD60BF .