Справочник IGBT. XNF15N60T

 

XNF15N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNF15N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 38
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 36
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 37
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для XNF15N60T

 

 

XNF15N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1109K  1
xnf15n60t.pdf

XNF15N60T XNF15N60T

Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ

Другие IGBT... 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , IHW20N120R2 , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD , NCE15TD60BD , NCE15TD60B , NCE15TD60BF .

 

 
Back to Top