XNF15N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: XNF15N60T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для XNF15N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XNF15N60T даташит

 ..1. Size:1109K  1
 xnf15n60t.pdf pdf_icon

XNF15N60T

Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature TJ

Другие IGBT... 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, CI20T120P, IHW15N120E1, RJH3044, NGTB75N65FL2, YGW60N65F1A1, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD, NCE15TD60BD, NCE15TD60B, NCE15TD60BF