XNF15N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XNF15N60T
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 38
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Время нарастания: 36
Емкость коллектора (Cc), pf: 37
Тип корпуса: TO-220F
XNF15N60T Datasheet (PDF)
..1. xnf15n60t.pdf Size:1109K _1
Data Sheet XNF15N60T 600V/15A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ
Другие IGBT... 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , IRGS14C40L , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD , NCE15TD60BD , NCE15TD60B , NCE15TD60BF .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: TGH60N65F2DS | TGH60N65F2DR | TGH40N65F2DS | TGH40N65F2DR | TGH40N60F2D | TGH40N135FD | TGH40N120F2DR | TGAN80N65F2DS | TGAN80N60F2DS | TGAN60N65F2DS | TGAN60N65F2DR