SGT60N60FD1PN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT60N60FD1PN

Tipo de transistor: IGBT

Código de marcado: 60N60FD1

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 321

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 142

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 294

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 179

Paquete / Cubierta: TO3P

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SGT60N60FD1PN Datasheet (PDF)

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SGT60N60FD1PN/P7 60A600V C 2SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 60A600VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

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SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A650V C 2SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1GStop UPSSMPS PFC 1323TO-3PE 60A650VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

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