SGT60N60FD1PN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT60N60FD1PN
Маркировка: 60N60FD1
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 321
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 142
Емкость коллектора (Cc), pf: 294
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SGT60N60FD1PN
SGT60N60FD1PN Datasheet (PDF)
..1. sgt60n60fd1pn sgt60n60fd1p7.pdf Size:326K _silan
SGT60N60FD1PN/P7 60A600V C 2SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 60A600VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A
9.1. sgt60t65fd1pn sgt60t65fd1p7 sgt60t65fd1ps sgt60t65fd1pt.pdf Size:558K _1
SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A650V C 2SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1GStop UPSSMPS PFC 1323TO-3PE 60A650VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: TGH60N65F2DS | TGH60N65F2DR | TGH40N65F2DS | TGH40N65F2DR | TGH40N60F2D | TGH40N135FD | TGH40N120F2DR | TGAN80N65F2DS | TGAN80N60F2DS | TGAN60N65F2DS | TGAN60N65F2DR