IXDN55N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXDN55N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 450 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 240 nC
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXDN55N120 - IGBT
IXDN55N120 Datasheet (PDF)
ixdn55n120 ixdn55n120d1.pdf
IXDN 55N120 VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXDN 55N120 D1 IC25 = 100 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAC CminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGG GE E IXDN 55N120 IXDN 55N120 D1ECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal ca
ixdn55n120d1.pdf
IXDN 55N120 D1VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 100 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOACminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGGEECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal can be used asVCGR TJ = 25C to 150
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Liste
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