Справочник IGBT. IXDN55N120

 

IXDN55N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXDN55N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXDN55N120

 

 

IXDN55N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  ixys
 ixdn55n120 ixdn55n120d1.pdf

IXDN55N120 IXDN55N120

IXDN 55N120 VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXDN 55N120 D1 IC25 = 100 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAC CminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGG GE E IXDN 55N120 IXDN 55N120 D1ECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal ca

 0.1. Size:78K  ixys
 ixdn55n120d1.pdf

IXDN55N120 IXDN55N120

IXDN 55N120 D1VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 100 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOACminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGGEECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal can be used asVCGR TJ = 25C to 150

 9.1. Size:137K  ixys
 ixdn50n120au1.pdf

IXDN55N120 IXDN55N120

Другие IGBT... IRGS14C40L , IXDA20N120AS , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , XNF15N60T , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , IXGA12N100 , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 .

 

 
Back to Top