GPK100HF120D1 Todos los transistores

 

GPK100HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPK100HF120D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 431 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

GPK100HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cn hmsemi
 gpk100hf120d1.pdf pdf_icon

GPK100HF120D1

GPK100HF120D1GPK100HF120D1IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =2.1V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applicat

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History: RJH60F0DPQ-A0 | FGH20N60SFD | GT30F123 | MM10G3T120B | HGTG20N60C3D | RJP30H1DPP-M0 | BT30N60ANF

 

 
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