Справочник IGBT. GPK100HF120D1

 

GPK100HF120D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPK100HF120D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 431
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 62
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1350
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 870
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GPK100HF120D1

 

 

GPK100HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cn hmsemi
 gpk100hf120d1.pdf

GPK100HF120D1 GPK100HF120D1

GPK100HF120D1GPK100HF120D1IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =2.1V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applicat

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top