GPK100HF120D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GPK100HF120D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 431 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1350 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GPK100HF120D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPK100HF120D1 даташит

 ..1. Size:273K  cn hmsemi
 gpk100hf120d1.pdf pdf_icon

GPK100HF120D1

GPK100HF120D1 GPK100HF120D1 IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =2.1V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applicat

Другие IGBT... NCE15TD60B, NCE15TD60BF, NCE80TD65BP, NCE80TD65BT, SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, XNF15N60T, GPK200HF120D2, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, GPU200HF120D2, GPU50HF120D1, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB