Справочник IGBT. GPK100HF120D1

 

GPK100HF120D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPK100HF120D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 431 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1350 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для GPK100HF120D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPK100HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cn hmsemi
 gpk100hf120d1.pdf pdf_icon

GPK100HF120D1

GPK100HF120D1GPK100HF120D1IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =2.1V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applicat

Другие IGBT... NCE15TD60B , NCE15TD60BF , NCE80TD65BP , NCE80TD65BT , SGT60T65FD1PN , SGT60T65FD1P7 , SGT60T65FD1PS , SGT60T65FD1PT , RGT50TS65D , GPK200HF120D2 , GPU100HF120D1 , GPU150HF120D2 , GPU200HF120D2 , GPU50HF120D1 , GPU75HF120D1 , HM15N120A , HM20N120AB .

History: JNG20T60FS2

 

 
Back to Top

 


 
.