GPK200HF120D2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GPK200HF120D2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 862 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 145 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2400 pF

Encapsulados: MODULE

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GPK200HF120D2 datasheet

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GPK200HF120D2

GPK200HF120D2 IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =2.1V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description DAXIN s IGBTs offer lower losses and higher energy for application such as motor drive ,UPS, inverter and other soft switching applications. Absolute

Otros transistores... NCE15TD60BF, NCE80TD65BP, NCE80TD65BT, SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, IRG4PF50W, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, GPU200HF120D2, GPU50HF120D1, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB, HM20N120T