GPK200HF120D2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPK200HF120D2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 862 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 145 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2400 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
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GPK200HF120D2 Datasheet (PDF)
gpk200hf120d2.pdf
GPK200HF120D2IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =2.1V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description DAXINs IGBTs offer lower losses and higher energy for application such as motor drive ,UPS, inverter and other soft switching applications. Absolute
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Liste
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