GPK200HF120D2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GPK200HF120D2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 862 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GPK200HF120D2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPK200HF120D2 даташит

 ..1. Size:514K  cn hmsemi
 gpk200hf120d2.pdf pdf_icon

GPK200HF120D2

GPK200HF120D2 IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =2.1V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description DAXIN s IGBTs offer lower losses and higher energy for application such as motor drive ,UPS, inverter and other soft switching applications. Absolute

Другие IGBT... NCE15TD60BF, NCE80TD65BP, NCE80TD65BT, SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, IRG4PF50W, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, GPU200HF120D2, GPU50HF120D1, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB, HM20N120T