GPU100HF120D1 Todos los transistores

 

GPU100HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPU100HF120D1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 431 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 870 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

GPU100HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cn hmsemi
 gpu100hf120d1.pdf pdf_icon

GPU100HF120D1

GPU100HF120D1 GPU100HF120D1IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =3.2V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applica

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History: RJH60F4DPK

 

 
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