Справочник IGBT. GPU100HF120D1

 

GPU100HF120D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPU100HF120D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 431 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1350 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 870 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GPU100HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cn hmsemi
 gpu100hf120d1.pdf pdf_icon

GPU100HF120D1

GPU100HF120D1 GPU100HF120D1IGBT Module 1200V/100A 2 in one-package Features 1200V100A,V =3.2V@100A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applica

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXA12IF1200PB | RJH60M0DPQ-A0 | NGTB50N60FWG | SGT15U65SD1F | IXYR50N120C3D1 | TGAN60N65F2DR | STGW28IH125DF

 

 
Back to Top

 


 
.