IXDN75N120 Todos los transistores

 

IXDN75N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXDN75N120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 750 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXDN75N120 datasheet

 ..1. Size:71K  ixys
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IXDN75N120

IXDN 75N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 150 A VCE(sat) typ = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA C miniBLOC, SOT-227 B E153432 E G G E E E C E = Emitter , C = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings G = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V Either Emitter terminal can be used as VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 1200 V Main or

Otros transistores... IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , AOK40B65H2AL , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , IXGA12N100 , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C .

 

 

 


 
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