IXDN75N120 Todos los transistores

 

IXDN75N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXDN75N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 750 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 360 nC
   Paquete / Cubierta: SOT227B
 

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IXDN75N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixdn75n120.pdf pdf_icon

IXDN75N120

IXDN 75N120 VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 150 AVCE(sat) typ = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOACminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGGEEECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal can be used asVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 1200 VMain or

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History: IXGH12N100A

 

 
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