IXDN75N120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXDN75N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 750 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXDN75N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXDN75N120 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 ixdn75n120.pdf pdf_icon

IXDN75N120

IXDN 75N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 150 A VCE(sat) typ = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA C miniBLOC, SOT-227 B E153432 E G G E E E C E = Emitter , C = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings G = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V Either Emitter terminal can be used as VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 1200 V Main or

Другие IGBT... IXDH20N120, IXDH20N120D1, IXDH30N120, IXDH30N120AU1, IXDH30N120D1, IXDN50N120AU1, IXDN55N120, IXDN55N120D1, AOK40B65H2AL, IXDT30N120, IXDT30N120AU1, IXDT30N120D1, IXGA12N100, IXGA12N100A, IXGA12N100AU1, IXGA12N100U1, IXGA12N60C