Справочник IGBT. IXDN75N120

 

IXDN75N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXDN75N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 750 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 360 nC
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXDN75N120

 

 

IXDN75N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixdn75n120.pdf

IXDN75N120 IXDN75N120

IXDN 75N120 VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 150 AVCE(sat) typ = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOACminiBLOC, SOT-227 B E153432 EGGEEECE = Emitter , C = CollectorSymbol Conditions Maximum RatingsG = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25C to 150C 1200 V Either Emitter terminal can be used asVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 1200 VMain or

Другие IGBT... IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , YGW40N65F1A1 , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , IXGA12N100 , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C .

 

 
Back to Top