HMG20N60A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG20N60A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 155 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 108 pF

Encapsulados: TO3P

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HMG20N60A datasheet

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HMG20N60A

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HMG20N60A

HMG20N65F IGBT Features 650V 20A,V = 1.70 V@20A CE(sat)(typ.) Field Stop IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation Absolute Maxinmun Ratings Symbol Parameter Val

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