HMG20N60A Todos los transistores

 

HMG20N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMG20N60A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 155 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 108 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 57 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

HMG20N60A Datasheet (PDF)

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 hmg20n60a.pdf pdf_icon

HMG20N60A

HMG20N60A20A600V C 2HMG20N60A Field 1GStop UPS,SMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=2.0V@IC=20A

 7.1. Size:1097K  cn hmsemi
 hmg20n65f.pdf pdf_icon

HMG20N60A

HMG20N65F IGBT Features 650V 20A,V = 1.70 V@20A CE(sat)(typ.) Field Stop IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation Absolute Maxinmun Ratings Symbol Parameter Val

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History: HGTP20N60C3 | MWI30-06A7 | IXGA20N60B

 

 
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