HMG20N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMG20N60A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 155 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 108 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 57 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HMG20N60A - IGBT
HMG20N60A Datasheet (PDF)
hmg20n60a.pdf
HMG20N60A20A600V C 2HMG20N60A Field 1GStop UPS,SMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=2.0V@IC=20A
hmg20n65f.pdf
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Liste
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