Справочник IGBT. HMG20N60A

 

HMG20N60A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG20N60A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 155
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 45
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 108
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 57
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HMG20N60A

 

 

HMG20N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  cn hmsemi
 hmg20n60a.pdf

HMG20N60A HMG20N60A

HMG20N60A20A600V C 2HMG20N60A Field 1GStop UPS,SMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=2.0V@IC=20A

 7.1. Size:1097K  cn hmsemi
 hmg20n65f.pdf

HMG20N60A HMG20N60A

HMG20N65F IGBT Features 650V 20A,V = 1.70 V@20A CE(sat)(typ.) Field Stop IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation Absolute Maxinmun Ratings Symbol Parameter Val

Другие IGBT... HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , FGH40N60UFD , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 .

 

 
Back to Top