HMG40N60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG40N60A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF

Encapsulados: TO3P

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HMG40N60A datasheet

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HMG40N60A

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HMG40N60A

HMG40N60T 600V, 40A, Trench FS II IGBT General Description Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS (fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V Schematic diagram CE sat High speed switching

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HMG40N60A

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