HMG40N60A Todos los transistores

 

HMG40N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMG40N60A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

HMG40N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N60A

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

 6.1. Size:1214K  cn hmsemi
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HMG40N60A

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

 7.1. Size:747K  cn hmsemi
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HMG40N60A

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

Otros transistores... HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , GT30J124 , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT .

 

 
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