HMG40N60A Todos los transistores

 

HMG40N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMG40N60A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P

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HMG40N60A Datasheet (PDF)

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HMG40N60A

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HMG40N60A

HMG40N60T 600V, 40A, Trench FS II IGBT General Description Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS (fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V Schematic diagram CE sat High speed switching

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HMG40N60A

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