Справочник IGBT. HMG40N60A

 

HMG40N60A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG40N60A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HMG40N60A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG40N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N60A

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

 6.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf pdf_icon

HMG40N60A

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

 7.1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf pdf_icon

HMG40N60A

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

Другие IGBT... HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , GT30J124 , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT .

 

 
Back to Top

 


 
.