HMG40N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMG40N60T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 306
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 34
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 151
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 195
   Paquete / Cubierta: TO247

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HMG40N60T Datasheet (PDF)

..1. Size:1214K cn hmsemi
hmg40n60t.pdf

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

6.1. Size:744K cn hmsemi
hmg40n60a.pdf