HMG40N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HMG40N60T

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 306

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 34

Емкость коллектора (Cc), pf: 151

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HMG40N60T

HMG40N60T Datasheet (PDF)

..1. hmg40n60t.pdf Size:1214K _cn_hmsemi

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

6.1. hmg40n60a.pdf Size:744K _cn_hmsemi

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

7.1. hmg40n65t.pdf Size:747K _cn_hmsemi

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .