HMG40N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG40N65T  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF

Encapsulados: TO247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HMG40N65T IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HMG40N65T datasheet

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N60T 600V, 40A, Trench FS II IGBT General Description Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS (fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V Schematic diagram CE sat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N65T

Otros transistores... HM25N120T, HMG15N60, HMG15N60D, HMG15N60F, HMG20N60A, HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, GT30J124, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M