HMG40N65T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMG40N65T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 165 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HMG40N65T IGBT
HMG40N65T Datasheet (PDF)
hmg40n65t.pdf

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -
hmg40n60t.pdf

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching
hmg40n60a.pdf

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A
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History: RJP60F0DPE
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