HMG40N65T Todos los transistores

 

HMG40N65T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMG40N65T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 165 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de HMG40N65T IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HMG40N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

Otros transistores... HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , FGH40N60SFD , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M .

History: RJP60F0DPE

 

 
Back to Top

 


 
.