HMG40N65T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG40N65T

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 280

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 175

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165

Paquete / Cubierta: TO247

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HMG40N65T Datasheet (PDF)

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HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

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