HMG40N65T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMG40N65T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 280
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 175
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HMG40N65T - IGBT
HMG40N65T Datasheet (PDF)
hmg40n65t.pdf
HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -
hmg40n60t.pdf
HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching
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HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A
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Liste
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