HMG40N65T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HMG40N65T
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 50
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 175
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 165
Тип корпуса: TO247
HMG40N65T Datasheet (PDF)
hmg40n65t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -
hmg40n60t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching
hmg40n60a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![HMG40N65T](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HMG40N65T](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HMG40N65T](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ