Справочник IGBT. HMG40N65T

 

HMG40N65T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG40N65T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 175
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 165
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HMG40N65T

 

 

HMG40N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
hmg40n65t.pdf

HMG40N65T
HMG40N65T

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
hmg40n60t.pdf

HMG40N65T
HMG40N65T

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
hmg40n60a.pdf

HMG40N65T
HMG40N65T

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

Другие IGBT... HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , FGH40N60UFD , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M .

 

 
Back to Top