Справочник IGBT. HMG40N65T

 

HMG40N65T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG40N65T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HMG40N65T

 

 

HMG40N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf

HMG40N65T HMG40N65T

HMG40N65T650V 40A IGBT UPS PFC HMG40N65T (TO-247) 1 1 JESD-022 2 * -

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf

HMG40N65T HMG40N65T

HMG40N60T600V, 40A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS(fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, andeasy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low V Schematic diagramCEsat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf

HMG40N65T HMG40N65T

HMG40N60A40A600V C 2HMG40N60A Field Stop1G UPSSMPS PFC 3 E 40A600VVCE(sat)( )=1.8V@IC=40A

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top