HMG40N65T - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

HMG40N65T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: HMG40N65T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HMG40N65T

 

HMG40N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N60T 600V, 40A, Trench FS II IGBT General Description Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS (fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V Schematic diagram CE sat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N65T

Другие IGBT... HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , GT30J124 , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M .

 

 
Back to Top

 


 
.