HMG40N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HMG40N65T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HMG40N65T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG40N65T даташит

 ..1. Size:747K  cn hmsemi
 hmg40n65t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

 7.1. Size:1214K  cn hmsemi
 hmg40n60t.pdf pdf_icon

HMG40N65T

HMG40N60T 600V, 40A, Trench FS II IGBT General Description Using H&M SEMI's proprietary trench design and advanced FS (fieldstop)second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V Schematic diagram CE sat High speed switching

 7.2. Size:744K  cn hmsemi
 hmg40n60a.pdf pdf_icon

HMG40N65T

Другие IGBT... HM25N120T, HMG15N60, HMG15N60D, HMG15N60F, HMG20N60A, HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, CRG60T60AN3H, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M