HMG60N60T Todos los transistores

 

HMG60N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMG60N60T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 142 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 179 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de HMG60N60T - IGBT

 

HMG60N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cn hmsemi
hmg60n60a hmg60n60t.pdf

HMG60N60T
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HMG60N60A/HMG60N60T60A600V C 2HMG60N60A/HMG60N60T 1GField StopUPS,SMPS PFC 3 E 60A600VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 1212

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