HMG60N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMG60N60T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 142 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 179 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HMG60N60T - IGBT
HMG60N60T Datasheet (PDF)
hmg60n60a hmg60n60t.pdf
HMG60N60A/HMG60N60T60A600V C 2HMG60N60A/HMG60N60T 1GField StopUPS,SMPS PFC 3 E 60A600VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 1212
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Liste
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