HMG60N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG60N60T 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 142 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF

Encapsulados: TO247

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de HMG60N60T IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

HMG60N60T datasheet

..1. Size:896K cn hmsemi
hmg60n60a hmg60n60t.pdf pdf_icon

HMG60N60A/HMG60N60T 60A 600V C 2 HMG60N60A/HMG60N60T 1 G Field Stop UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 12 12