HMG60N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HMG60N60T
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 321
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 142
Емкость коллектора (Cc), pf: 294
Тип корпуса: TO247
HMG60N60T Datasheet (PDF)
..1. hmg60n60a hmg60n60t.pdf Size:896K _cn_hmsemi
HMG60N60A/HMG60N60T60A600V C 2HMG60N60A/HMG60N60T 1GField StopUPS,SMPS PFC 3 E 60A600VVCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 1212
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: NGTG15N60S1EG | NGTB40N65FL2WG | NGTB40N120L3WG | NGTB25N120FL3WG | NGTB15N60S1EG | NGTB15N135IHRWG | NGTB10N60R2DT4G | NGTB05N60R2DT4G | NGTB03N60R2DT4G | ISL9V5045S3ST-F085 | ISL9V5045S3