HMG60N60T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HMG60N60T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 142 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 294 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HMG60N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG60N60T даташит

 ..1. Size:896K  cn hmsemi
 hmg60n60a hmg60n60t.pdf pdf_icon

HMG60N60T

HMG60N60A/HMG60N60T 60A 600V C 2 HMG60N60A/HMG60N60T 1 G Field Stop UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 12 12

Другие IGBT... HMG15N60D, HMG15N60F, HMG20N60A, HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, HMG40N65T, HMG60N60A, GT50JR22, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N