KDG25R12KE3 Todos los transistores

 

KDG25R12KE3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDG25R12KE3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF

Encapsulados: MODULE

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KDG25R12KE3 datasheet

 ..1. Size:810K  cn hmsemi
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KDG25R12KE3

KDG25R12KE3 KDG25R12KE3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10 s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

Otros transistores... HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , FGD4536 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P .

History: MIXA80R1200VA

 

 

 

 

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