KDG25R12KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDG25R12KE3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 515 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KDG25R12KE3 - IGBT
KDG25R12KE3 Datasheet (PDF)
kdg25r12ke3.pdf
KDG25R12KE3 KDG25R12KE3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un
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Liste
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