KDG25R12KE3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: KDG25R12KE3
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 50
Емкость коллектора (Cc), pf: 200
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для KDG25R12KE3
KDG25R12KE3 Datasheet (PDF)
..1. kdg25r12ke3.pdf Size:810K _cn_hmsemi
KDG25R12KE3 KDG25R12KE3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: NGTG15N60S1EG | NGTB40N65FL2WG | NGTB40N120L3WG | NGTB25N120FL3WG | NGTB15N60S1EG | NGTB15N135IHRWG | NGTB10N60R2DT4G | NGTB05N60R2DT4G | NGTB03N60R2DT4G | ISL9V5045S3ST-F085 | ISL9V5045S3