KDG25R12KE3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: KDG25R12KE3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для KDG25R12KE3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KDG25R12KE3 даташит

 ..1. Size:810K  cn hmsemi
 kdg25r12ke3.pdf pdf_icon

KDG25R12KE3

KDG25R12KE3 KDG25R12KE3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10 s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

Другие IGBT... HMG15N60F, HMG20N60A, HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T, FGD4536, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P