KDG40R12KT3 Todos los transistores

 

KDG40R12KT3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDG40R12KT3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 255 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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KDG40R12KT3 datasheet

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KDG40R12KT3

KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10 s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un... See More ⇒

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