KDG40R12KT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDG40R12KT3

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 255

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 70

Capacitancia de salida (Cc), pF: 210

Paquete / Caja (carcasa): MODULE

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KDG40R12KT3 Datasheet (PDF)

..1. kdg40r12kt3.pdf Size:956K _cn_hmsemi

KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

Otros transistores... HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , FGH60N60SMD , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 .