KDG40R12KT3 Todos los transistores

 

KDG40R12KT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDG40R12KT3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 255

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 70

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 210

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 445

Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de KDG40R12KT3 - IGBT

 

KDG40R12KT3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:956K  cn hmsemi
kdg40r12kt3.pdf

KDG40R12KT3
KDG40R12KT3

KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

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