KDG40R12KT3 Todos los transistores

 

KDG40R12KT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDG40R12KT3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 255 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 445 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de KDG40R12KT3 - IGBT

 

KDG40R12KT3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:956K  cn hmsemi
kdg40r12kt3.pdf

KDG40R12KT3
KDG40R12KT3

KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

Otros transistores... HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , RJP30H2A , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 .

 

 
Back to Top

 


KDG40R12KT3
  KDG40R12KT3
  KDG40R12KT3
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2

 

 

 
Back to Top