KDG40R12KT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDG40R12KT3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 255
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 70
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 210
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 445
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KDG40R12KT3 - IGBT
KDG40R12KT3 Datasheet (PDF)
kdg40r12kt3.pdf
KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un
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Liste
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