KDG40R12KT3 - аналоги и описание IGBT

 

KDG40R12KT3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: KDG40R12KT3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для KDG40R12KT3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KDG40R12KT3 даташит

 ..1. Size:956K  cn hmsemi
 kdg40r12kt3.pdf pdf_icon

KDG40R12KT3

KDG40R12KT3 KDG40R12KT3 IGBT Module Features IGBT Inverter Short Circuit Rated 10 s IGBT Inverter Low Saturation Voltage Low Switching Loss Low Stray Inductance Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications Internal Circuit Diagram IGBT-Inverter Absolute Maximum Ratings (T = 25 un

Другие IGBT... HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , FGPF4536 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 .

History: AUIRG4BC30S-S

 

 

 


 
↑ Back to Top
.