CRG60T60AN3H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG60T60AN3H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G60T60AN3H
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 403 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 117 nC
Paquete / Cubierta: TO3PN
- Selección de transistores por parámetros
CRG60T60AN3H Datasheet (PDF)
crg60t60an3h.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag
crg60t60an3h.pdf

CRG60T60AN3H CRG60T60AN3H FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V TO-3PN FS VCE(s
crg60t60an3h.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag
crg60t60ak3hd.pdf

CRG60T60AK3HD CRG60T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 483 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V TO-247 FS VCE(sat),
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815