CRG60T60AN3H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG60T60AN3H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G60T60AN3H
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 403 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 117 nC
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de CRG60T60AN3H IGBT
CRG60T60AN3H Datasheet (PDF)
crg60t60an3h.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag
crg60t60an3h.pdf

CRG60T60AN3H CRG60T60AN3H FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V TO-3PN FS VCE(s
crg60t60an3h.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag
crg60t60ak3hd.pdf

CRG60T60AK3HD CRG60T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 483 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V TO-247 FS VCE(sat),
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