CRG60T60AN3H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRG60T60AN3H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 403 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF

Encapsulados: TO3PN

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CRG60T60AN3H datasheet

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CRG60T60AN3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

 ..2. Size:955K  crhj
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CRG60T60AN3H

CRG60T60AN3H CRG60T60AN3H FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V TO-3P N FS VCE(s

 ..3. Size:1254K  wuxi china
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CRG60T60AN3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

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CRG60T60AN3H

CRG60T60AK3HD CRG60T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 483 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V TO-247 FS VCE(sat),

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