CRG60T60AN3H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: CRG60T60AN3H

Маркировка: G60T60AN3H

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 403

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 124

Емкость коллектора (Cc), pf: 224

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для CRG60T60AN3H

CRG60T60AN3H Datasheet (PDF)

..1. crg60t60an3h.pdf Size:1254K _1

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .