CRG60T60AN3H datasheet, аналоги, основные параметры

CRG60T60AN3H - это высокопроизводительный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для эффективного переключения питания в системах средней и высокой мощности. Он сочетает в себе низкие потери проводимости биполярного транзистора с управляемым напряжением затвором МОП-транзистора, обеспечивая высокое входное сопротивление и упрощенные требования к приводу затвора. Это устройство оптимизировано для быстрого переключения, низкого напряжения насыщения и надежной защиты от короткого замыкания, что делает его подходящим для инверторных систем, электроприводов, источников питания, оборудования промышленной автоматизации. CRG60T60AN3H обычно имеет прочную кремниевую конструкцию, которая повышает термическую стабильность и надежность при высоких нагрузках по току и напряжению. Низкий уровень заряда затвора и оптимизированные характеристики переключения помогают снизить системные потери и электромагнитные помехи. CRG60T60AN3H позволяет разработчикам добиться более высокой эффективности, компактной конструкции системы и длительного срока службы в сложных системах силовой электроники.

Наименование: CRG60T60AN3H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 224 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CRG60T60AN3H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG60T60AN3H даташит

 ..1. Size:1254K  1
 crg60t60an3h.pdf pdf_icon

CRG60T60AN3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

 ..2. Size:955K  crhj
 crg60t60an3h.pdf pdf_icon

CRG60T60AN3H

CRG60T60AN3H CRG60T60AN3H FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V TO-3P N FS VCE(s

 ..3. Size:1254K  wuxi china
 crg60t60an3h.pdf pdf_icon

CRG60T60AN3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AN3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

 5.1. Size:972K  crhj
 crg60t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG60T60AN3H

CRG60T60AK3HD CRG60T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 483 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.85 V TO-247 FS VCE(sat),

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, IXGH60N60, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, YGW40N65F1, AOD5B65M1