FGPF70N33BT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGPF70N33BT
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 48 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160(pulse) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FGPF70N33BT - IGBT
FGPF70N33BT Datasheet (PDF)
fgpf70n33bt.pdf
November 2008FGPF70N33BTtm330V, 70A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP Low saturation voltage: VCE(sat) =1.7V @ IC = 70Aapplications where low conduction and switching losses are High input impedanceessential. Fast switchin
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Liste
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