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FGPF70N33BT IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGPF70N33BT
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 48 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160(pulse) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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Principales características: FGPF70N33BT

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FGPF70N33BT

November 2008 FGPF70N33BT tm 330V, 70A PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP Low saturation voltage VCE(sat) =1.7V @ IC = 70A applications where low conduction and switching losses are High input impedance essential. Fast switchin

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