FGPF70N33BT - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

FGPF70N33BT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGPF70N33BT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FGPF70N33BT

 

FGPF70N33BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  1
 fgpf70n33bt.pdf pdf_icon

FGPF70N33BT

November 2008 FGPF70N33BT tm 330V, 70A PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP Low saturation voltage VCE(sat) =1.7V @ IC = 70A applications where low conduction and switching losses are High input impedance essential. Fast switchin

Другие IGBT... HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , GT30J127 , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.