Справочник IGBT. FGPF70N33BT

 

FGPF70N33BT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGPF70N33BT
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GP70N33
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.3 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 49 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FGPF70N33BT

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGPF70N33BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  1
 fgpf70n33bt.pdf pdf_icon

FGPF70N33BT

November 2008FGPF70N33BTtm330V, 70A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP Low saturation voltage: VCE(sat) =1.7V @ IC = 70Aapplications where low conduction and switching losses are High input impedanceessential. Fast switchin

Другие IGBT... HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , IXGH60N60 , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.