FGPF70N33BT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGPF70N33BT
Маркировка: GP70N33
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 160(pulse)
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 26
Емкость коллектора (Cc), pf: 140
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FGPF70N33BT
FGPF70N33BT Datasheet (PDF)
..1. fgpf70n33bt.pdf Size:688K _1
November 2008FGPF70N33BTtm330V, 70A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP Low saturation voltage: VCE(sat) =1.7V @ IC = 70Aapplications where low conduction and switching losses are High input impedanceessential. Fast switchin
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: NGTG15N60S1EG | NGTB40N65FL2WG | NGTB40N120L3WG | NGTB25N120FL3WG | NGTB15N60S1EG | NGTB15N135IHRWG | NGTB10N60R2DT4G | NGTB05N60R2DT4G | NGTB03N60R2DT4G | ISL9V5045S3ST-F085 | ISL9V5045S3