SSG55N60M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG55N60M  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF

Encapsulados: TO254

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SSG55N60M datasheet

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SSG55N60M

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

 9.1. Size:1421K  secos
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SSG55N60M

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to B provide excellent on-resistance extremely efficient and

Otros transistores... HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SGT50T65FD1PT, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, YGW40N65F1, AOD5B65M1, AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE