SSG55N60M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SSG55N60M  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO254

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SSG55N60M

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SSG55N60M даташит

 6.1. Size:60K  1
 ssg55n60.pdf pdf_icon

SSG55N60M

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

 9.1. Size:1421K  secos
 ssg5509a.pdf pdf_icon

SSG55N60M

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to B provide excellent on-resistance extremely efficient and

Другие IGBT... HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, G50T65D, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, YGW40N65F1, AOD5B65M1, AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE