MGF65A6H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGF65A6H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 405 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 330 pF

Encapsulados: TO3P

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MGF65A6H datasheet

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 kgf65a6h mgf65a6h.pdf pdf_icon

MGF65A6H

VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode KGF65A6H, MGF65A6H Data Sheet Description Packages The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field TO247-3L TO3P-3L Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases (4) (4) gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the effic

Otros transistores... AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1, KGF65A6H, SGT60N60FD1P7, RJH65T14DPQ-A0, GT30J122A, GT60M324, DG25X12T2, DG40X12T2, GD100HFX65C1S, GD75HFF120C1S, SL40T65FL