MGF65A6H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGF65A6H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 405
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 70
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 330
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 110
Paquete / Cubierta: TO3P
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MGF65A6H Datasheet (PDF)
kgf65a6h mgf65a6h.pdf
VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode KGF65A6H, MGF65A6H Data Sheet Description Packages The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field TO247-3L TO3P-3L Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases (4) (4) gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the effic
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Liste
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