Справочник IGBT. MGF65A6H

 

MGF65A6H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGF65A6H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 405 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для MGF65A6H

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGF65A6H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  sanken-ele
 kgf65a6h mgf65a6h.pdf pdf_icon

MGF65A6H

VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode KGF65A6H, MGF65A6H Data Sheet Description Packages The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field TO247-3L TO3P-3L Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases (4) (4) gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the effic

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SSG55N60N | SGL25N120RUFD

 

 
Back to Top

 


 
.