RJH65T14DPQ-A0 Todos los transistores

 

RJH65T14DPQ-A0 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJH65T14DPQ-A0
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
   Paquete / Cubierta: TO247A
 

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RJH65T14DPQ-A0 Datasheet (PDF)

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RJH65T14DPQ-A0

Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110Application: Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin

 9.1. Size:68K  renesas
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RJH65T14DPQ-A0

Preliminary DatasheetRJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001650V - 50A - IGBT Rev.0.01Application: Inverter Jul 06, 2012Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30

Otros transistores... CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH30E2DPP , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I .

History: IRG7PH50U-EP

 

 
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