RJH65T14DPQ-A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH65T14DPQ-A0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 69 pF

Тип корпуса: TO247A

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH65T14DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH65T14DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:290K  renesas
 rjh65t14dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH65T14DPQ-A0

Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110 Application Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018 Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin

 9.1. Size:68K  renesas
 rjh65s04dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH65T14DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001 650V - 50A - IGBT Rev.0.01 Application Inverter Jul 06, 2012 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30

Другие IGBT... CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1, KGF65A6H, MGF65A6H, YGW60N65F1A1, GT30J122A, GT60M324, DG25X12T2, DG40X12T2, GD100HFX65C1S, GD75HFF120C1S, SL40T65FL, BG75B12UX3-I