GT60M324 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT60M324
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 60M324
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 254 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 10 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 190 nS
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de GT60M324 - IGBT
GT60M324 Datasheet (PDF)
gt60m324.pdf
GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation
gt60m303.pdf
GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)
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Liste
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