Справочник IGBT. GT60M324

 

GT60M324 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M324
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 190 nS
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GT60M324

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M324 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf pdf_icon

GT60M324

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation

 8.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M324

 8.2. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf pdf_icon

GT60M324

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

 8.3. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf pdf_icon

GT60M324

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , IRGP4063D , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I .

History: IXA12IF1200PC | IXYH80N90C3

 

 
Back to Top

 


 
.