GT60M324 - аналоги и описание IGBT

 

GT60M324 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT60M324

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 190 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT60M324

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M324 даташит

 ..1. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf pdf_icon

GT60M324

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit mm Sixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT tf = 0.11 s (typ.) (IC = 60A) FRD trr = 0.8 s (typ.) (di/dt = -20 A/ s) Low saturation

 8.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M324

 8.2. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf pdf_icon

GT60M324

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT tf = 0.25 s (TYP.) FRD trr = 0.7 s (TYP.) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C)

 8.3. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf pdf_icon

GT60M324

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , G50T65D , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.