DG25X12T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG25X12T2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 573
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 17
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 190
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DG25X12T2 - IGBT
DG25X12T2 Datasheet (PDF)
dg25x12t2.pdf
DG25X12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG25X12T2 1200V/25A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 10s short circuit capability Low switching loss
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Liste
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