Справочник IGBT. DG25X12T2

 

DG25X12T2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG25X12T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 573 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG25X12T2

 

 

DG25X12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  cn starpower
 dg25x12t2.pdf

DG25X12T2 DG25X12T2

DG25X12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG25X12T2 1200V/25A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 10s short circuit capability Low switching loss

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top