GD75HFF120C1S Todos los transistores

 

GD75HFF120C1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD75HFF120C1S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 412 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

GD75HFF120C1S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  cn starpower
 gd75hff120c1s.pdf pdf_icon

GD75HFF120C1S

GD75HFF120C1S IGBT Module STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT GD75HFF120C1S 1200V/75A 2 in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as electronic welder and inductive heating. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology VCE(sat) with positi

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History: TA49047 | MMG50HB120H6HN | OST75N65HTNF | IRGIB7B60KD | OST75N65HSZF | IKP03N120H2 | SRE75N065FSU2DH

 

 
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