GD75HFF120C1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GD75HFF120C1S
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 412
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 28
Paquete / Cubierta: MODULE
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GD75HFF120C1S Datasheet (PDF)
gd75hff120c1s.pdf
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Liste
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