Справочник IGBT. GD75HFF120C1S

 

GD75HFF120C1S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GD75HFF120C1S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 412
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.05
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 28
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GD75HFF120C1S

 

 

GD75HFF120C1S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  cn starpower
 gd75hff120c1s.pdf

GD75HFF120C1S GD75HFF120C1S

GD75HFF120C1S IGBT Module STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT GD75HFF120C1S 1200V/75A 2 in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as electronic welder and inductive heating. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology VCE(sat) with positi

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top