GD75HFF120C1S - аналоги и описание IGBT

 

GD75HFF120C1S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GD75HFF120C1S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 412 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GD75HFF120C1S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GD75HFF120C1S даташит

 ..1. Size:191K  cn starpower
 gd75hff120c1s.pdf pdf_icon

GD75HFF120C1S

GD75HFF120C1S IGBT Module STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT GD75HFF120C1S 1200V/75A 2 in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as electronic welder and inductive heating. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology VCE(sat) with positi

Другие IGBT... KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GT30G124 , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF .

History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.