BG75B12UX3-I Todos los transistores

 

BG75B12UX3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BG75B12UX3-I
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.84 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BG75B12UX3-I Datasheet (PDF)

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 bg75b12ux3-i.pdf pdf_icon

BG75B12UX3-I

BG75B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=75A General Description Features BYD IGBT Power Module BG75B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductance and

Otros transistores... RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , GT45F122 , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB .

History: T0900EB45A

 

 
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