BG75B12UX3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BG75B12UX3-I
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.84 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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BG75B12UX3-I Datasheet (PDF)
bg75b12ux3-i.pdf
BG75B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=75A General Description Features BYD IGBT Power Module BG75B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductance and
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Liste
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