BG75B12UX3-I Todos los transistores

 

BG75B12UX3-I IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BG75B12UX3-I

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.84 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS

Encapsulados: MODULE

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BG75B12UX3-I datasheet

 ..1. Size:732K  cn byd
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BG75B12UX3-I

BG75B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=75A General Description Features BYD IGBT Power Module BG75B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductance and

Otros transistores... RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , RJH3047 , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB .

History: SGS13N60UFD | STGB20NB32LZ | AFGHL40T65SQD

 

 

 

 

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