BG75B12UX3-I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BG75B12UX3-I  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.84 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BG75B12UX3-I

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BG75B12UX3-I даташит

 ..1. Size:732K  cn byd
 bg75b12ux3-i.pdf pdf_icon

BG75B12UX3-I

BG75B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=75A General Description Features BYD IGBT Power Module BG75B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductance and

Другие IGBT... RJH65T14DPQ-A0, GT30J122A, GT60M324, DG25X12T2, DG40X12T2, GD100HFX65C1S, GD75HFF120C1S, SL40T65FL, CRG40T65AK5HD, BG100B12UX3-I, BG150B12LY2-I, BG150B12UY3-I, BG200B12UY3-I, MPBW25N120B, MPBW40N60BF, MPBW40N65BH, MPFF100R12RB