BG100B12UX3-I Todos los transistores

 

BG100B12UX3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BG100B12UX3-I
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BG100B12UX3-I Datasheet (PDF)

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 bg100b12ux3-i.pdf pdf_icon

BG100B12UX3-I

BG100B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =100A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG100B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Otros transistores... GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , CRG60T60AN3H , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB .

History: IXGH60N60B2 | IXGX35N120B | VS-40MT120UHTAPBF | BRG60N65D | FGPF15N60UNDF | FGW40N120WD | CM1200HA-66H

 

 
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