BG100B12UX3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BG100B12UX3-I
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 65
Paquete / Cubierta: MODULE
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BG100B12UX3-I Datasheet (PDF)
bg100b12ux3-i.pdf
BG100B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =100A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG100B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc
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Liste
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