Справочник IGBT. BG100B12UX3-I

 

BG100B12UX3-I Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BG100B12UX3-I
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 640 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BG100B12UX3-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  cn byd
 bg100b12ux3-i.pdf pdf_icon

BG100B12UX3-I

BG100B12UX3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =100A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG100B12UX3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.