BG200B12UY3-I Todos los transistores

 

BG200B12UY3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BG200B12UY3-I
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1041 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 91 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 7500 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1280 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)

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 bg200b12uy3-i.pdf pdf_icon

BG200B12UY3-I

BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

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History: SPT40N120F1AT8TL | SPT25N120U1 | SKM100GB12V | MG100HF12MRC1

 

 
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