BG200B12UY3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BG200B12UY3-I
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1041
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 91
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 7500
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 1280
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de BG200B12UY3-I - IGBT
BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)
bg200b12uy3-i.pdf
BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc
Otros transistores... DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , NGD8201N , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ