BG200B12UY3-I - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BG200B12UY3-I
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1041 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 91 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 7500 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1280 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
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BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)
bg200b12uy3-i.pdf
BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc
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Liste
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